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Mehrstufige Transistorverstärker
Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner
Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung
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Drainstrom des Transistors
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Eingangsspannung gegeben Signalspannung
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Eingangsspannung im Transistor
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Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung
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Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers
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Gesamte momentane Drain-Spannung
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Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz
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Gleichstromverstärkung des Verstärkers
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Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source
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Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal
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Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers
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Steilheit von Transistorverstärkern
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Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt
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Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung
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Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors
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Verstärkereingang des Transistorverstärkers
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Eigenschaften des Transistorverstärkers
Eigenschaften des Transistorverstärkers
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Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung
Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt
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