Taschenrechner A bis Z
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KGV GGT Rechner
Taschenrechner Erstellt von Shobhit Dimri
Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie
(BTKIT)
,
Dwarahat
www.linkedin.com/in/shobhit-dimri
876
Formeln Erstellt
127
Formeln Verifiziert
136
Über Kategorien hinweg
Liste der Taschenrechner von Shobhit Dimri
Im Folgenden finden Sie eine kombinierte Liste aller Taschenrechner, die von Shobhit Dimri erstellt und überprüft wurden. Shobhit Dimri hat 876 erstellt und 127 -Rechner in 136 verschiedenen Kategorien bis heute überprüft.
2-Leiter-System
(3)
Verifiziert
Länge unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC 2-Draht OS)
Gehen
Verifiziert
Leitungsverluste durch Volumen des Leitermaterials (DC 2-Draht OS)
Gehen
Verifiziert
Maximale Spannung unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (DC-Zweidraht-Betriebssystem)
Gehen
2 Weitere 2-Leiter-System Taschenrechner
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Aktuell
(1)
Verifiziert
Laststrom des Serien-DC-Generators bei gegebener Lastleistung
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4 Weitere Aktuell Taschenrechner
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Amperemeter
(4)
Erstellt
Durchschnittlicher Zählerstrom
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Erstellt
Mikroammeterstrom
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Erstellt
Spitzenstrom des Messgeräts
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Erstellt
Strom bei vollständiger Ablesung
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6 Weitere Amperemeter Taschenrechner
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Analoges VLSI-Design
(16)
Erstellt
Drain Voltage
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Erstellt
Gate-Source-Kapazität
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Erstellt
Gate-to-Collector-Potenzial
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Erstellt
Gate-to-Drain-Kapazität
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Erstellt
Gate-zu-Basis-Kapazität
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Erstellt
Gate-zu-Kanal-Spannung
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Erstellt
Geringer Rauschabstand
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Erstellt
Hoher Rauschabstand
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Erstellt
Maximal niedrige Eingangsspannung
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Erstellt
Maximale niedrige Ausgangsspannung
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Erstellt
Minimale hohe Ausgangsspannung
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Erstellt
Minimale hohe Eingangsspannung
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Erstellt
Potenzial von Drain zu Source
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Erstellt
Potenzial zwischen Quelle und Körper
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Erstellt
Tor zur Ableitung von Potenzial
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Erstellt
Tor-zu-Quelle-Potenzial
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Array-Datenpfad-Subsystem
(19)
Erstellt
Array-Effizienz
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Erstellt
Bereich der Speicherzelle
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Erstellt
Bitkapazität
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Erstellt
Carry-Increamentor Adder Delay
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Erstellt
Carry-Skip Adder Delay
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Erstellt
Erdkapazität
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Erstellt
K-Eingang 'Und' Gatter
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Erstellt
Kritische Pfadverzögerung des Carry-Ripple-Addierers
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Erstellt
Kritische Verzögerung bei Gates
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Erstellt
Multiplexer-Verzögerung
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Erstellt
N-Bit Carry-Skip-Addierer
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Erstellt
N-Eingang 'Und' Gatter
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Erstellt
Spannungsschwankung an der Bitleitung
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Erstellt
Speicherbereich mit N Bits
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Verzögerung der Baumaddierer
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Erstellt
Verzögerung der Gruppenausbreitung
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Verzögerung des Carry-Looker-Addierers
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Erstellt
'XOR'-Verzögerung
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Zellkapazität
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Auflösungsparameter
(10)
Erstellt
Anzahl der Frames pro Sek
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Erstellt
Anzahl der horizontalen Linien, die während des vertikalen Rücklaufs verloren gegangen sind
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Erstellt
Anzahl der Zeilen im Rahmen
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Breite des Rechteckbildes
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Höhe des Rechteck-Bilderrahmens
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Horizontale Auflösung
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Kell-Faktor oder Auflösungsfaktor
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Seitenverhältnis
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Vertikale Auflösung (VR)
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Vertikale Rücklaufzeit
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Ausbreitung von Funkwellen
(9)
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Effektive Pfadlänge
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Erstellt
Effektive Pfadlänge mit Reduktionsfaktor
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Erstellt
Gesamtdämpfung
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Erstellt
Höhe der Erdstation
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Erstellt
Reduktionsfaktor unter Verwendung der Schräglänge
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Regenhöhe
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Regression von Knoten
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Schräge Länge
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Erstellt
Spezifische Dämpfung
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5 Weitere Ausbreitung von Funkwellen Taschenrechner
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Beziehung zwischen Koeffizienten
(1)
Verifiziert
Lastimpedanz mit übertragenen Koeffizienten
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9 Weitere Beziehung zwischen Koeffizienten Taschenrechner
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BJT-Mikrowellengeräte
(11)
Erstellt
Base-Collector-Verzögerungszeit
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Erstellt
Basis-Transitzeit
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Erstellt
Basiswiderstand
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Erstellt
Emitter-Kollektor-Abstand
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Erstellt
Emitter-Kollektor-Verzögerungszeit
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Erstellt
Grenzfrequenz der Mikrowelle
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Erstellt
Kollektor-Basiskapazität
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Erstellt
Ladezeit der Emitterbasis
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Erstellt
Ladezeit des Kollektors
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Maximale Schwingungsfrequenz
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Erstellt
Sättigungsdriftgeschwindigkeit
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4 Weitere BJT-Mikrowellengeräte Taschenrechner
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CMOS-Designmerkmale
(24)
Erstellt
Aggressionstreiber
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Erstellt
Aggressionszeitkonstante
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Erstellt
Aggressorspannung
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Erstellt
Änderung der Frequenzuhr
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Angrenzende Kapazität
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Erstellt
Ausgangstaktphase
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Erstellt
Eingebautes Potenzial
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Erstellt
Gesamtkapazität nach Stufe gesehen
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Erstellt
Ground-to-Agression-Kapazität
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Erstellt
Kapazität Offpath
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Erstellt
Kapazität Onpath
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Off-Path-Kapazität von CMOS
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Opferfahrer
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Erstellt
Opferspannung
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Erstellt
Opferzeitkonstante
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Sperrspannung
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Statische Verlustleistung
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Statischer Strom
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Thermische Spannung von CMOS
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VCO Single Gain Factor
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Erstellt
VCO-Offsetspannung
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Erstellt
VCO-Steuerspannung
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Erstellt
Verzweigungsaufwand
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Erstellt
Zeitkonstantes Verhältnis von Aggression zu Opfer
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CMOS-Leistungsmetriken
(15)
Erstellt
Aktivitätsfaktor
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Erstellt
Ausgangsumschaltung bei Laststromverbrauch
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Dynamische Leistung im CMOS
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Erstellt
Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum
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Erstellt
Gesamtenergie in CMOS
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Erstellt
Gesamtleistung im CMOS
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Erstellt
Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen
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Erstellt
Kurzschlussstrom im CMOS
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Erstellt
Leckagenergie im CMOS
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Erstellt
Schalten von Energie im CMOS
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Erstellt
Schaltleistung
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Erstellt
Schaltleistung in CMOS
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Erstellt
Statische Leistung im CMOS
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Erstellt
Tore auf kritischem Pfad
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Erstellt
Unterschwelliger Leckstrom durch AUS-Transistoren
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2 Weitere CMOS-Leistungsmetriken Taschenrechner
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CMOS-Spezialsubsystem
(20)
Erstellt
Änderung der Taktfrequenz
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Erstellt
Änderung der Uhrphase
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Ausgangstaktphase PLL
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Bühnenaufwand
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Eingangstakt Phase PLL
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Elektrischer Aufwand des Wechselrichters 1
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Elektrischer Aufwand des Wechselrichters 2
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Erstellt
Fanout von Tor
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Kapazität der externen Last
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PLL-Phasendetektorfehler
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Reihenwiderstand von Chip zu Gehäuse
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Erstellt
Rückkopplungsuhr PLL
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Erstellt
Serienwiderstand von Verpackung zu Luft
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Stromverbrauch des Chips
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Erstellt
Temperaturunterschied zwischen Transistoren
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Erstellt
Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung
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Erstellt
Torverzögerung
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Übertragungsfunktion von PLL
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Erstellt
Verzögerung für zwei Wechselrichter in Reihe
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Erstellt
Wechselrichterleistung
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CMOS-Verzögerungseigenschaften
(12)
Erstellt
Abfallzeit
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Erstellt
Anstieg verzögern
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Erstellt
Aufstiegszeit
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Erstellt
Ausbreitungsverzögerung
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Edge-Rate
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Kleine Abweichungsverzögerung
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Erstellt
Laufzeitverzögerung ohne parasitäre Kapazität
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Erstellt
Normalisierte Verzögerung
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Spannungsgesteuerte Verzögerungsleitung
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Erstellt
VCDL-Verstärkung
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Erstellt
Verzögerung des UND-ODER-Gatters in der grauen Zelle
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Erstellt
Verzögerung von 1-Bit-Propagate-Gates
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1 Weitere CMOS-Verzögerungseigenschaften Taschenrechner
Gehen
CMOS-Zeiteigenschaften
(17)
Erstellt
Akzeptables MTBF
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Erstellt
Anfangsspannung von Knoten A
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Erstellt
Blendenzeit für fallenden Eingang
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Erstellt
Blendenzeit für steigenden Eingang
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Erstellt
Durchschnittliche Spannung des Phasendetektors
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Erstellt
Haltezeit bei hoher Logik
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Erstellt
Haltezeit bei niedriger Logik
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Erstellt
Kleinsignal-Offsetspannung
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Erstellt
Metastabile Spannung
Gehen
Erstellt
Rüstzeit bei niedriger Logik
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Erstellt
Setup-Zeit bei hoher Logik
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Erstellt
Wahrscheinlichkeit eines Synchronisiererausfalls
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Erstellt
XOR-Phase Detektorphase in Bezug auf den Detektorstrom
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Erstellt
XOR-Phasendetektorphase
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Erstellt
XOR-Phasendetektorspannung
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Erstellt
XOR-Phasendetektorstrom
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Erstellt
XOR-Spannungs-NAND-Gatter
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Cuk Regler
(3)
Erstellt
Arbeitszyklus für Cuk-Regler
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Erstellt
Ausgangsspannung für Cuk-Regler
Gehen
Erstellt
Eingangsspannung für Cuk-Regler
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Datenanalyse
(15)
Erstellt
Anzahl der Bits pro Wort
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Erstellt
Codierungsrauschen
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Erstellt
Durchschnittliche Fade-Dauer
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Erstellt
Eingangswellenform
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Erstellt
Erfolglose Wahrscheinlichkeit
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Erstellt
Erfolgswahrscheinlichkeit
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Erstellt
Erwartete Anzahl der Übertragungen
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Erstellt
Erwartete eine Übertragung (E1)
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Erstellt
Fähigkeit von Fehlerkorrekturbits
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Erstellt
Header-Bits
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Erstellt
Informationsbits
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Erstellt
Tatsächliches S-zu-N-Verhältnis am Ausgang
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Erstellt
Unentdeckte Fehlerwahrscheinlichkeit pro Einzelwortnachricht
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Erstellt
Unentdeckte Wahrscheinlichkeit pro Wort
Gehen
Erstellt
Wortfehlerrate
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Digitales Schaltsystem
(15)
Erstellt
Anzahl der Schaltelemente
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Erstellt
Anzahl der Schaltstufen
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Erstellt
Anzahl der SE im Einzelschalter
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Erstellt
Anzahl der SE in äquivalenter Mehrstufe
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Erstellt
Anzahl der SE, wenn SC vollständig ausgelastet ist
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Auslastungsfaktor der Ausrüstung
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Erstellt
Durchschnittliche Schaltzeit pro Stufe
Gehen
Erstellt
Gesamtzahl der SE im System
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Leistungsverhältnis
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Maximaler Variationswiderstand durch Kohlenstoffgranulat
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Momentaner Widerstand des Mikrofons
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Ruhewiderstand des Mikrofons
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Sinusförmiger Eingang
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Theoretische maximale Belastung
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Vorteilsfaktor des Schaltelements
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Diskontinuierlicher Leitungsmodus
(3)
Erstellt
Ausgangsspannung für Buck-Regler (DCM)
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Erstellt
Ausgangsstrom für Buck-Regler (DCM)
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Erstellt
Induktivitätswert für Buck-Regler (DCM)
Gehen
Diskontinuierlicher Leitungsmodus
(5)
Erstellt
Arbeitszyklus für Boost-Regler (DCM)
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Erstellt
Ausgangsspannung für Boost-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt
Ausgangsstrom für Boost-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt
Induktivitätswert für Boost-Regler (DCM)
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Erstellt
Kommutierungsperiode für Boost-Regler (DCM)
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Diskontinuierlicher Leitungsmodus
(3)
Erstellt
Ausgangsspannung für Buck-Boost-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt
Ausgangsstrom für Buck-Boost-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt
Induktivitätswert für Buck-Boost-Regler (DCM)
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Drahtparameter
(2)
Verifiziert
Leitungslänge unter Verwendung der Fläche des X-Abschnitts (Zweileiter, ein Leiter geerdet)
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Verifiziert
Leitungsverluste unter Verwendung des Bereichs des X-Querschnitts (Zweileiter, ein Leiter geerdet)
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12 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
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Drahtparameter
(5)
Verifiziert
Länge mit Konstante (DC 3-Draht)
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Verifiziert
Länge unter Verwendung der Fläche des X-Abschnitts (DC 3-Draht)
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Verifiziert
Länge unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC 3-Draht)
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Verifiziert
Länge unter Verwendung von Leitungsverlusten (DC 3-Draht)
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Verifiziert
Leitungsverluste (DC 3-Draht)
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11 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
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Drahtparameter
(1)
Verifiziert
Bereich des X-Abschnitts (einphasiges Zweidraht-Betriebssystem)
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14 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter
(1)
Verifiziert
Konstant (einphasiges Dreidraht-Betriebssystem)
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18 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter
(1)
Verifiziert
Konstante Verwendung von Leitungsverlusten (1-Phase 2-Draht US)
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22 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
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Drahtparameter
(2)
Verifiziert
Drahtlänge mit Widerstand (3-Phasen-4-Draht-Betriebssystem)
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Verifiziert
Volumen des Leitermaterials mit konstantem (3-Phasen-4-Draht-Betriebssystem)
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11 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter
(1)
Verifiziert
Leitungsverluste unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (Zweiphasen-Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
14 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter
(3)
Verifiziert
Bereich des X-Abschnitts unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2 Phase 3 Draht US)
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Verifiziert
Winkel des PF unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2 Phase 3 Leiter US)
Gehen
Verifiziert
Winkel von Pf unter Verwendung von Leitungsverlusten (2-phasig 3-adrig US)
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14 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
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Drahtparameter
(4)
Verifiziert
Bereich des X-Schnitts unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes OS)
Gehen
Verifiziert
Konstante Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert
Länge unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes OS)
Gehen
Verifiziert
Leitungsverluste unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes OS)
Gehen
7 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
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Drahtparameter
(4)
Verifiziert
Konstantes Volumen des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
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Verifiziert
Länge unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
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Verifiziert
Leitungsverluste unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
Verifiziert
Winkel des PF unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
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10 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter
(3)
Verifiziert
Konstantes Volumen des Leitermaterials (DC Three-Wire US)
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Verifiziert
Länge unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC Dreileiter US)
Gehen
Verifiziert
Leitungsverluste unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC Dreileiter US)
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12 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
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Druckmessung
(7)
Erstellt
Druck links vom Manometer
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Druck rechts vom Manometer
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Druckänderung
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Druckdifferenz im Manometer
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Druckdifferenz im U-Rohr-Manometer
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Höhe der Flüssigkeit in der Säule
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Scherspannung in Flüssigkeit
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1 Weitere Druckmessung Taschenrechner
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Durchflussmessung
(16)
Erstellt
Absolute Viskosität
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Dichte der Flüssigkeit
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Druckverlust durch Einbau
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Durchschnittliche Geschwindigkeit der Flüssigkeit
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Erstellt
Fließrate
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Geschwindigkeit des Förderbandes
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Gewicht des Materials auf der Länge der Wiegeplattform
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Erstellt
Kopfverlust
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Erstellt
Länge der Wiegeplattform
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Länge des Rohrs
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Erstellt
Massendurchsatz
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Erstellt
Reynoldszahl des im Rohr fließenden Fluids
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Erstellt
Rohrdurchmesser
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Rohrkoeffizient ziehen
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Verlustkoeffizient für verschiedene Anpassungen
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Volumenstrom
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Eigenschaften der CMOS-Schaltung
(15)
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Bereich der Quellendiffusion
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Erstellt
Breite der Quellendiffusion
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Erstellt
Breite des Tors
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Erstellt
Breite des Verarmungsbereichs
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Erstellt
CMOS mittlerer freier Pfad
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Erstellt
Dicke der Oxidschicht
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Erstellt
Effektive Kanallänge
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Erstellt
Effektive Kapazität im CMOS
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Kritische CMOS-Spannung
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Kritisches elektrisches Feld
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Erstellt
Permittivität der Oxidschicht
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Erstellt
PN-Verbindungslänge
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Erstellt
Seitenwandumfang der Quelldiffusion
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Erstellt
Spannung bei minimaler EDV
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Erstellt
Übergangsbreite des CMOS
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Eigenschaften der Satellitenorbitale
(16)
Erstellt
Anomalistische Periode
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Bereichsvektor
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Julianischer Tag
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Julianisches Jahrhundert
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Keplers drittes Gesetz
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Erstellt
Keplers erstes Gesetz
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Erstellt
Lokale Sternzeit
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Erstellt
Mittlere Anomalie
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Erstellt
Mittlere Bewegung des Satelliten
Gehen
Erstellt
Nominale mittlere Bewegung
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Erstellt
Positionsvektor
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Referenzzeit in julianischen Jahrhunderten
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Erstellt
Umlaufdauer des Satelliten in Minuten
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Erstellt
Universeller Zeitgrad
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Wahre Anomalie
Gehen
Erstellt
Weltzeit
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Eigenschaften des Faserdesigns
(9)
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Abgestufte Indexlänge der Faser
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Brechungsindex der Umhüllung
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Brechungsindex des Faserkerns
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Dauer des optischen Impulses
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Flugzeugwellengeschwindigkeit
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Erstellt
Gruppenverzögerung
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Erstellt
Kritischer Winkel der Strahloptik
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Erstellt
Normalisierte Frequenz
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Erstellt
Numerische Blende
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3 Weitere Eigenschaften des Faserdesigns Taschenrechner
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Elektronen und Löcher
(17)
Erstellt
AC-Leitfähigkeit
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Erstellt
Amplitude der Wellenfunktion
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Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch
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Erstellt
Elektron außerhalb der Region
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Erstellt
Elektron in der Region
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Erstellt
Elektronenflussdichte
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Erstellt
Elektronenkomponente
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Erstellt
Elektronenstromdichte
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Erstellt
Elektronenvervielfachung
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Erstellt
Gesamtträgerstromdichte
Gehen
Erstellt
Lochkomponente
Gehen
Erstellt
Lochstromdichte
Gehen
Erstellt
Mittlerer freier Pfad
Gehen
Erstellt
Phi-abhängige Wellenfunktion
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Erstellt
Quantenzustand
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Erstellt
Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons
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Erstellt
Unterschied in der Elektronenkonzentration
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1 Weitere Elektronen und Löcher Taschenrechner
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Endkondensatormethode in der Mittellinie
(6)
Verifiziert
Impedanz (ECM)
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Verifiziert
Leitungsverluste bei der Endkondensatormethode
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Verifiziert
Senden der Endleistung im Endkondensatorverfahren
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Verifiziert
Senden der Endspannung bei der Endkondensatormethode
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Verifiziert
Spannungsregelung im Endkondensatorverfahren
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Verifiziert
Widerstand unter Verwendung der Methode der Verluste im Endkondensator
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11 Weitere Endkondensatormethode in der Mittellinie Taschenrechner
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Energieband und Ladungsträger
(18)
Erstellt
Effektive Staatsdichte
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Erstellt
Energielücke
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Erstellt
Fermi-Funktion
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Erstellt
Flüssigkeitskonzentration
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Erstellt
Intrinsische Trägerkonzentration
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Konzentration im Leitungsband
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Erstellt
Konzentration von Löchern im Valenzband
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Erstellt
Leitungsbandenergie
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Erstellt
Nettoänderungsrate im Leitungsband
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Erstellt
Optische Erzeugungsrate
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Photoelektronenenergie
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Rekombinationslebensdauer
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Erstellt
Steady-State-Elektronenkonzentration
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Erstellt
Trägerlebensdauer
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Erstellt
Übermäßige Trägerkonzentration
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Erstellt
Valenzbandenergie
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Erstellt
Verteilungskoeffizient
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Erstellt
Zustand der effektiven Dichte im Valenzband
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2 Weitere Energieband und Ladungsträger Taschenrechner
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Energiezähler
(6)
Erstellt
Anzahl der gemachten Revolutionen
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Erstellt
Durchschnittliche Beladung des Messgeräts
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Erstellt
Durchschnittlicher monatlicher Lastfaktor
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Erstellt
Energie aufgezeichnet
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Erstellt
Maximale Nachfrage
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Erstellt
Revolution in KWh
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Feuchtemessung
(5)
Erstellt
Feuchtigkeitsverhältnis
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Erstellt
Gesättigte Luftfeuchtigkeit
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Erstellt
Masse der trockenen Luft oder des Gases im Gemisch
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Erstellt
Masse des Wasserdampfs im Gemisch
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Erstellt
Tatsächliche Luftfeuchtigkeit
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Frequenzwiederverwendungskonzept
(9)
Erstellt
Kohärenzbandbreite für zufällige Phasen zweier empfangener Signale
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Erstellt
Kohärenzbandbreite für zwei Fading-Amplituden zweier empfangener Signale
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Erstellt
M-Ary PAM
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Erstellt
M-Ary QAM
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Erstellt
Reverse Frame
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Erstellt
Symbolzeitraum
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Erstellt
Verzögerungsausbreitung
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Erstellt
Vorwärtsrahmen
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Erstellt
Zeitfenster
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7 Weitere Frequenzwiederverwendungskonzept Taschenrechner
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Füllstandsmessung
(18)
Erstellt
Auftrieb
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Auftriebskraft am zylindrischen Verdränger
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Erstellt
Eingetauchte Tiefe
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Erstellt
Flüssigkeitsstand
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Erstellt
Gewicht auf Kraftsensor
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Erstellt
Gewicht der Luft
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Erstellt
Gewicht des Körpers in Flüssigkeit
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Erstellt
Gewicht des Materials im Behälter
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Erstellt
Gewicht des Verdrängers
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Erstellt
Höhe der Teller
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Erstellt
Kapazität ohne Flüssigkeit
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Erstellt
Länge des in Flüssigkeit eingetauchten Verdrängers
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Erstellt
Magnetische Durchlässigkeit von Flüssigkeiten
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Erstellt
Materialvolumen im Behälter
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Erstellt
Nichtleitende Flüssigkeitskapazität
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Erstellt
Querschnittsfläche des Objekts
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Erstellt
Schwimmerdurchmesser
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Erstellt
Tiefe der Flüssigkeit
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Galvanometer
(14)
Erstellt
Ballistische Empfindlichkeit
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Erstellt
Ballistische Empfindlichkeit mithilfe der Flusskopplungsempfindlichkeit
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Erstellt
Bereich der Sekundärspule
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Erstellt
Drehmoment steuern
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Erstellt
Durchbiegung im Galvanometer
Gehen
Erstellt
Endgültige stationäre Auslenkung im Galvanometer
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Erstellt
Federkonstante im Galvanometer
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Erstellt
Konstante des Galvanometers
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Erstellt
Ladung fließt durch ein Galvanometer
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Erstellt
Länge des Solenoids
Gehen
Erstellt
Spannung über dem Galvanometer
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Erstellt
Spannungsempfindlichkeit des Galvanometers
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Erstellt
Stromempfindlichkeit des Galvanometers
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Erstellt
Wurf des Galvanometers
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3 Weitere Galvanometer Taschenrechner
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Geostationäre Umlaufbahn
(13)
Erstellt
Akuter Wert
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Erstellt
Apogee Heights
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Erstellt
Azimutwinkel
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Erstellt
Breitengrad der Erdstation
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Erstellt
Geostationäre Höhe
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Erstellt
Geostationärer Radius
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Erstellt
Geostationärer Satellitenradius
Gehen
Erstellt
Höhenwinkel
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Erstellt
Länge der Radiusvektoren am Apogäum
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Erstellt
Länge der Radiusvektoren am Perigäum
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Erstellt
Neigungswinkel
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Erstellt
Perigee Heights
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Erstellt
Zeit der Perigäumspassage
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1 Weitere Geostationäre Umlaufbahn Taschenrechner
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Geräte mit optischen Komponenten
(3)
Erstellt
Diffusionslänge des Übergangsbereichs
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Erstellt
Scheitelwinkel
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Erstellt
Strom durch optisch erzeugten Träger
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11 Weitere Geräte mit optischen Komponenten Taschenrechner
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Geräteabmessungen
(11)
Erstellt
Bereich des Kapillarröhrchens
Gehen
Erstellt
Breite des Ehemaligen
Gehen
Erstellt
Breite des Frühlings
Gehen
Erstellt
Dicke des Frühlings
Gehen
Erstellt
Koeffizient der volumetrischen Ausdehnung
Gehen
Erstellt
Länge des ehemaligen
Gehen
Erstellt
Länge des Frühlings
Gehen
Erstellt
Länge des Kapillarröhrchens
Gehen
Erstellt
Schärfe der Kurve
Gehen
Erstellt
Standardabweichung für Normalkurve
Gehen
Erstellt
Volumen der Glühbirne im Kapillarröhrchen
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Geräteeigenschaften
(23)
Erstellt
Dämpfungskonstante
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Erstellt
Dämpfungsmoment
Gehen
Erstellt
Elastizitätsmodul der Flachfeder
Gehen
Erstellt
EMF erzeugt in Former
Gehen
Erstellt
EMF induziert im Abschnitt unterhalb des Magnetfelds
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Erstellt
Empfindlichkeit
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Erstellt
Flaches Drehmoment zur Steuerung der Spiralfeder
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Erstellt
Größe der Ausgangsantwort
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Erstellt
Größe der Eingabe
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Erstellt
Größte Lesung (Xmax)
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Erstellt
Instrumentierungsspanne
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Erstellt
Inverse Empfindlichkeit oder Skalierungsfaktor
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Erstellt
Kleinste Lesung (Xmin)
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Erstellt
Lineare Geschwindigkeit von Former
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Erstellt
Maximale Faserspannung in der flachen Feder
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Erstellt
Maximale Verschiebungsabweichung
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Erstellt
Stärke des Magnetfeldes
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Erstellt
Stromverbrauch beim vollständigen Lesen
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Erstellt
Vollständige Spannungsablesung
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Vollständige Widerstandsabweichung
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Erstellt
Winkelablenkung der Feder
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Erstellt
Winkelgeschwindigkeit der Scheibe
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Erstellt
Winkelgeschwindigkeit des Formers
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2 Weitere Geräteeigenschaften Taschenrechner
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Gleichstromkreise
(2)
Erstellt
Leitungsspannung
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Erstellt
Spannungsverteilungsverhältnis
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4 Weitere Gleichstromkreise Taschenrechner
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Grundlagen der Bildverarbeitung
(4)
Erstellt
Anzahl der Bits
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Erstellt
Anzahl der Graustufen
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Digitale Bildspalte
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Erstellt
Digitale Bildzeile
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13 Weitere Grundlagen der Bildverarbeitung Taschenrechner
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Grundlagen der elektromagnetischen Induktion
(2)
Verifiziert
Gesamtfluss in der gegenseitigen Induktivität
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Verifiziert
In rotierender Spule induzierte EMF
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13 Weitere Grundlagen der elektromagnetischen Induktion Taschenrechner
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Grundlegende Merkmale
(9)
Erstellt
Dicke der Metallscheibe
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Erstellt
Maximale Widerstandsabweichung im Ohmmeter
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Erstellt
Multiplikatorwiderstand im Ohmmeter
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Erstellt
Prozentuale Linearität im Ohmmeter
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Erstellt
Tiefe des Permanentmagneten
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Erstellt
Volumenwiderstand der Isolierung
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Erstellt
Widerstand der Materialscheibe
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Erstellt
Widerstand des Messgeräts
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Erstellt
Widerstand des Wirbelstrompfades
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Grundlegende Parameter
(7)
Erstellt
Ein horizontaler Zeilenscan
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Erstellt
Eine horizontale Linie
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Erstellt
Eine horizontale Linienverfolgung
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Eine horizontale Zeit
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Erstellt
Horizontale Frequenz
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Videobandbreite
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Videobandbreitensignal
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Helixrohr
(12)
Erstellt
Einfügungsverlust
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Gleichspannung
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Hin- und Rückfahrt DC-Durchlaufzeit
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Erstellt
Nicht übereinstimmender Verlust
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Phasengeschwindigkeit
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Erstellt
Power Standing Wave Ratio
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Reflexionsfaktor
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Sättigungsdriftspannung
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Spannungs-Stehwellenverhältnis
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Steigungswinkel
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Torlänge
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Erstellt
Verhältnis der Spannungswelle
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1 Weitere Helixrohr Taschenrechner
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Impedanz 1,2 und 3
(3)
Verifiziert
Impedanz-2 mit übertragener Spannung (Leitung PL)
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Verifiziert
Impedanz-2 unter Verwendung des übertragenen Spannungskoeffizienten (Leitungs-PL)
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Verifiziert
Impedanz-3 unter Verwendung des übertragenen Spannungskoeffizienten (Leitungs-PL)
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17 Weitere Impedanz 1,2 und 3 Taschenrechner
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Instrumentenfehlermessung
(11)
Erstellt
Absoluter statischer Mengenfehler
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Erstellt
Durchschnittliche Abweichung
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Fehlerhafte Menge
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Gemessener Wert der Menge
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Erstellt
Lage des Punktes
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Nennwert
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Prozentualer Fehler
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Relativer Begrenzungsfehler
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Relativer statischer Fehler
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Wahre Menge
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Erstellt
Wahrer Wert der Menge
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Klystron
(11)
Erstellt
Anodenspannung
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Erstellt
Bündelungsparameter von Klystron
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Erstellt
DC-Transitzeit
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Gleichstromquelle
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Hohlraumleitwert
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Hohlraumverlust durch Kupfer
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Klystron-Effizienz
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Erstellt
Leistungsverlust im Anodenkreis
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Erstellt
Resonanzfrequenz des Hohlraums
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Erstellt
Steilheit des Klystron-Verstärkers
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Erstellt
Strahlbelastungsleitfähigkeit
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2 Weitere Klystron Taschenrechner
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Klystron-Höhle
(10)
Erstellt
Anzahl der Resonanzräume
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Erstellt
Buncher Cavity Gap
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Erstellt
Durchschnittliche Mikrowellenspannung im Buncher Gap
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Erstellt
Durchschnittlicher Abstand zwischen Hohlräumen
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Erstellt
Durchschnittlicher Transitwinkel
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Erstellt
Größe des Mikrowellensignals am Eingangshohlraum
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Erstellt
Induktionsstrom im Catcher-Hohlraum
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Erstellt
Induktionsstrom in den Wänden des Catcher-Hohlraums
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Erstellt
Leitfähigkeit des Resonators
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Erstellt
Phasenkonstante des Grundmodenfeldes
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4 Weitere Klystron-Höhle Taschenrechner
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Kontinuierlicher Leitungsmodus
(3)
Erstellt
Arbeitszyklus für Abwärtsregler (CCM)
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Erstellt
Ausgangsspannung für Buck-Regler (CCM)
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Erstellt
Eingangsspannung für Buck-Regler (CCM)
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Kontinuierlicher Leitungsmodus
(3)
Erstellt
Arbeitszyklus für Ladedruckregler (CCM)
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Erstellt
Ausgangsspannung für Boost-Regler (CCM)
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Erstellt
Eingangsspannung für Boost-Regler (CCM)
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Kontinuierlicher Leitungsmodus
(3)
Erstellt
Arbeitszyklus für Buck-Boost-Regler (CCM)
Gehen
Erstellt
Ausgangsspannung für Buck-Boost-Regler (CCM)
Gehen
Erstellt
Eingangsspannung für Buck-Boost-Regler (CCM)
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Laser
(3)
Erstellt
Ebene des Polarisators
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Erstellt
Einzelne Lochblende
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Erstellt
Übertragungsebene des Analysators
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9 Weitere Laser Taschenrechner
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Last ist offen geschaltet
(1)
Verifiziert
Sendespannung (Last OC)
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3 Weitere Last ist offen geschaltet Taschenrechner
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Leistung
(1)
Verifiziert
Umgewandelte Leistung des Serien-DC-Generators bei gegebener Ausgangsleistung
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1 Weitere Leistung Taschenrechner
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Leistung und Leistungsfaktor
(2)
Verifiziert
Übertragene Leistung mit Lautstärke (Zweiader, ein Leiter geerdet)
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Verifiziert
Übertragene Leistung unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (zweiadrig, ein Leiter geerdet)
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3 Weitere Leistung und Leistungsfaktor Taschenrechner
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Leistung und Leistungsfaktor
(2)
Verifiziert
Mit Laststrom übertragene Leistung (Zweileiter, Mittelpunkt geerdet)
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Verifiziert
Übertragene Leistung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes Betriebssystem)
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1 Weitere Leistung und Leistungsfaktor Taschenrechner
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Leistung und Leistungsfaktor
(1)
Verifiziert
Winkel des PF unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (3 Phase 4 Leiter US)
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12 Weitere Leistung und Leistungsfaktor Taschenrechner
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Leistung und Leistungsfaktor
(3)
Verifiziert
Mit Laststrom übertragene Leistung (Zweiphasen-Dreileiter-Betriebssystem)
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Verifiziert
Winkel des PF unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (Zweiphasen-Dreileiter-OS)
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Verifiziert
Winkel des PF unter Verwendung von Leitungsverlusten (Zweiphasen-Dreileiter-Betriebssystem)
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7 Weitere Leistung und Leistungsfaktor Taschenrechner
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Leistung und Leistungsfaktor
(3)
Verifiziert
Leistungsfaktor unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
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Verifiziert
Übertragene Leistung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
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Verifiziert
Übertragene Leistung unter Verwendung von Laststrom (1 Phase 3-Draht US)
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6 Weitere Leistung und Leistungsfaktor Taschenrechner
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Leistung und Leistungsfaktor
(4)
Verifiziert
Leistungsfaktor unter Verwendung der Fläche des X-Abschnitts (3-Phasen-3-Draht-Betriebssystem)
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Verifiziert
Leistungsfaktor unter Verwendung des Laststroms (3-Phasen-3-Draht-Betriebssystem)
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Verifiziert
Übertragene Leistung mit Laststrom (3-Phasen-3-Draht-Betriebssystem)
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Verifiziert
Winkel von PF mit Laststrom (3-Phasen-3-Draht-Betriebssystem)
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3 Weitere Leistung und Leistungsfaktor Taschenrechner
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Leistungskennzahlen
(13)
Erstellt
Anzahl der Komponenten im Diagramm
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Erstellt
Ausführungszeit
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Ausführungszeit der Beschleunigung
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Baudrate
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CPU-Auslastung
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CPU-Zeit für nützliche Arbeit
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Erstellt
Insgesamt verfügbare CPU-Zeit
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Erstellt
Lesezeit
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Optimierung
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Schreibzeit
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Übersetzung
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Erstellt
Zusammenstellung
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Erstellt
Zyklomatische Komplexität
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2 Weitere Leistungskennzahlen Taschenrechner
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Lichtmessung
(18)
Erstellt
Auf das Objekt einfallender Lichtstrom
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Erstellt
Beleuchtungsstärke
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Erstellt
Bestrahlung
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Erstellt
Fläche im Raumwinkel projiziert
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Erstellt
Fluss im festen Winkel
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Erstellt
Incident Luminous Flux
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Erstellt
Intensität auf Raumwinkel
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Lichtfluss
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Lichtleistung
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Erstellt
Lichtstärke in Richtung senkrecht zur Oberfläche
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Erstellt
Lichtstärke in Winkelrichtung
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Erstellt
Photoelektrische Empfindlichkeit
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Erstellt
Photoelektrischer Strom
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Erstellt
Reflektierter Lichtstrom
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Erstellt
Reflexionsfaktor
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Erstellt
Übertragungsfaktor
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Erstellt
Vom Objekt übertragener Lichtstrom
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Erstellt
Von Lichteinfall betroffenes Gebiet
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Linearer Spannungsregler
(5)
Erstellt
Ausgangsspannung des Shunt-Reglers
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Erstellt
Eingangsspannung des Shunt-Reglers
Gehen
Erstellt
Laststrom im Shunt-Regler
Gehen
Erstellt
Shunt-Strom im Shunt-Regler
Gehen
Erstellt
Shunt-Widerstand im Shunt-Regler
Gehen
Linie mit parallelen Lasten
(5)
Verifiziert
Einfallende Spannung unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-3 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert
Einfallender Strom unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-3 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert
Übertragene Spannung unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-3 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert
Übertragener Spannungskoeffizient unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-2 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert
Übertragener Spannungskoeffizient unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-3 (Leitung PL)
Gehen
16 Weitere Linie mit parallelen Lasten Taschenrechner
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Magnetische Instrumente
(18)
Erstellt
Anzahl der Umdrehungen im Magnetventil
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Erstellt
Anzahl der Windungen pro Längeneinheit der Magnetspule
Gehen
Erstellt
Bereich der Hystereseschleife
Gehen
Erstellt
Dicke des Streifens
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Erstellt
Hall-Koeffizient
Gehen
Erstellt
Hysteresekoeffizient
Gehen
Erstellt
Hystereseverlust pro Volumeneinheit
Gehen
Erstellt
Magnetfeld der Magnetspule
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Erstellt
Magneto Motive Force (MMF)
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Erstellt
Probenverlängerungsfaktor
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Erstellt
Querschnittsfläche der Probe
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Erstellt
Reluktanz des Magnetkreises
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Erstellt
Scheinbare Magnetkraft bei Länge l
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Erstellt
Tatsächliche Länge der Probe
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Erstellt
Verlängerung der Probe
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Erstellt
Wahre Magnetisierungskraft
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Erstellt
Widerwillen von Joch
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Erstellt
Zurückhaltung von Gelenken
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Magnetischer Fluss
(10)
Erstellt
Ankerfluss pro Pol
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Erstellt
Feldstärke in der Mitte
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Erstellt
Fluss im Magnetkreis
Gehen
Erstellt
Flussdichte in der Mitte des Solenoids
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Erstellt
Flussdichte von Felddurchquerung zu Streifen
Gehen
Erstellt
Flussverbindungen der Sekundärspule
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Erstellt
Flussverknüpfung der Suchspule
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Erstellt
Gesamtfluss pro Pol
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Erstellt
Leckagefaktor
Gehen
Erstellt
Maximale Flussdichte
Gehen
Magnetron-Oszillator
(17)
Erstellt
Abstand zwischen Anode und Kathode
Gehen
Erstellt
Anodenstrom
Gehen
Erstellt
Einheitliche Elektronengeschwindigkeit
Gehen
Erstellt
Elektronische Effizienz
Gehen
Erstellt
Empfangsempfindlichkeit
Gehen
Erstellt
HF-Impulsbreite
Gehen
Erstellt
Hull Cutoff Magnetische Flussdichte
Gehen
Erstellt
Magnetron-Phasenverschiebung
Gehen
Erstellt
Merkmal Aufnahme
Gehen
Erstellt
Modulationslinearität
Gehen
Erstellt
Raumladungsreduktionsfaktor
Gehen
Erstellt
Rausch-Verhältnis
Gehen
Erstellt
Rumpf-Abschaltspannung
Gehen
Erstellt
Schaltungseffizienz im Magnetron
Gehen
Erstellt
Spektrallinienfrequenz
Gehen
Erstellt
Wiederholungsfrequenz des Pulses
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Erstellt
Zyklotron-Winkelfrequenz
Gehen
Maxwell-Brücke
(1)
Erstellt
Eisenverlust in der Maxwell-Brücke
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3 Weitere Maxwell-Brücke Taschenrechner
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Mechanische Spezifikationen
(1)
Verifiziert
Maschinenkonstante des DC-Nebenschlussmotors bei gegebenem Drehmoment
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6 Weitere Mechanische Spezifikationen Taschenrechner
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MESFET-Eigenschaften
(9)
Erstellt
Drain-Widerstand des MESFET
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Erstellt
Eingangswiderstand
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Erstellt
Gate-Länge des MESFET
Gehen
Erstellt
Gate-Metallisierungswiderstand
Gehen
Erstellt
Gate-Source-Kapazität
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Erstellt
Grenzfrequenz
Gehen
Erstellt
Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET
Gehen
Erstellt
Quellenwiderstand
Gehen
Erstellt
Transkonduktanz im MESFET
Gehen
4 Weitere MESFET-Eigenschaften Taschenrechner
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Messwandler
(4)
Erstellt
Empfindlichkeit der Flusskopplung
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Erstellt
Primärer Zeiger
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Erstellt
Sekundärer Zeiger
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Erstellt
Transformatorverhältnis
Gehen
2 Weitere Messwandler Taschenrechner
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Mobilfunkausbreitung
(15)
Erstellt
Block von N Serieller Quelle
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Erstellt
Kurzfristiges Verblassen
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Erstellt
Langzeitverblassen
Gehen
Erstellt
Maximal mögliches S-zu-N-Verhältnis
Gehen
Erstellt
Mobilfunkempfänger-Trägerleistung
Gehen
Erstellt
Mobilfunkentfernung
Gehen
Erstellt
Mobilfunksignal
Gehen
Erstellt
Multipath Fading
Gehen
Erstellt
Pfadverlustkoeffizient
Gehen
Erstellt
Rauschzahl
Gehen
Erstellt
Selektive Neuübertragung
Gehen
Erstellt
Stop-and-Wait-ARQ-Technik
Gehen
Erstellt
Symboldauer
Gehen
Erstellt
Verteilungsfunktion
Gehen
Erstellt
Zeitspanne der Seriell-zu-Parallel-Modulation
Gehen
1 Weitere Mobilfunkausbreitung Taschenrechner
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Mobilfunkkonzepte
(13)
Erstellt
Alter Zellenbereich
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Erstellt
Alter Zellradius
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Erstellt
Angebotene Ladung
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Erstellt
Co-Kanal-Interferenz
Gehen
Erstellt
Distanz zur Frequenzwiederverwendung
Gehen
Erstellt
Durchschnittliche Anrufzeit
Gehen
Erstellt
Hamming Entfernung
Gehen
Erstellt
Maximale Anrufe pro Stunde und Zelle
Gehen
Erstellt
Neue Verkehrslast
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Erstellt
Neuer Zellenbereich
Gehen
Erstellt
Neuer Zellradius
Gehen
Erstellt
Verkehrslast
Gehen
Erstellt
Zellradius
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3 Weitere Mobilfunkkonzepte Taschenrechner
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Nichtlineare Schaltungen
(16)
Erstellt
Bandbreite mit dynamischem Qualitätsfaktor
Gehen
Erstellt
Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen
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Erstellt
Dynamischer Q-Faktor
Gehen
Erstellt
Größe des negativen Widerstands
Gehen
Erstellt
Leistungsgewinn der Tunneldiode
Gehen
Erstellt
Maximal angelegte Spannung über Diode
Gehen
Erstellt
Maximal angelegter Strom über die Diode
Gehen
Erstellt
Negative Leitfähigkeit der Tunneldiode
Gehen
Erstellt
Rauschzahl des Doppelseitenbandes
Gehen
Erstellt
Rauschzahl des Einseitenbands
Gehen
Erstellt
Reaktive Impedanz
Gehen
Erstellt
Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode
Gehen
Erstellt
Tunneldioden-Ausgangsleistung
Gehen
Erstellt
Verhältnis negativer Widerstand zu Reihenwiderstand
Gehen
Erstellt
Verstärkerverstärkung der Tunneldiode
Gehen
Erstellt
Zimmertemperatur
Gehen
Nominale Pi-Methode in mittlerer Linie
(4)
Verifiziert
A-Parameter in der Nominal-Pi-Methode
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Verifiziert
D-Parameter in der Nominal-Pi-Methode
Gehen
Verifiziert
Laststrom unter Verwendung des Übertragungswirkungsgrads nach der Nominal-Pi-Methode
Gehen
Verifiziert
Widerstand unter Verwendung der Methode „Verluste im nominalen Pi“.
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16 Weitere Nominale Pi-Methode in mittlerer Linie Taschenrechner
Gehen
Nominale T-Methode in der mittleren Linie
(3)
Verifiziert
A-Parameter in der Nominal-T-Methode
Gehen
Verifiziert
Empfangen der Endspannung mit kapazitiver Spannung im Nominal-T-Verfahren
Gehen
Verifiziert
Senden der Endspannung mithilfe der Spannungsregelung im Nominal-T-Verfahren
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16 Weitere Nominale T-Methode in der mittleren Linie Taschenrechner
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Nullsequenz
(1)
Verifiziert
Nullsequenz-Potentialdifferenz unter Verwendung der Potentialdifferenz zwischen B-Phase (Zweileiter offen)
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5 Weitere Nullsequenz Taschenrechner
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Oszilloskop
(26)
Erstellt
Ablenkung auf dem Bildschirm
Gehen
Erstellt
Ablenkungsfaktor
Gehen
Erstellt
Abschluss pro Abteilung
Gehen
Erstellt
Anstiegszeit des Oszilloskops
Gehen
Erstellt
Anzahl der Lücken im Kreis
Gehen
Erstellt
Anzahl der Peaks auf der rechten Seite
Gehen
Erstellt
Anzahl positiver Peaks
Gehen
Erstellt
Anzeige der Anstiegszeit des Oszilloskops
Gehen
Erstellt
Ausgabezeitraum
Gehen
Erstellt
Durchbiegungsempfindlichkeit
Gehen
Erstellt
Horizontale Aufteilung pro Zyklus
Gehen
Erstellt
Impulsbreite des Oszilloskops
Gehen
Erstellt
Länge des Oszilloskops
Gehen
Erstellt
Modulnummer des Zählers
Gehen
Erstellt
Oszillationszeitraum
Gehen
Erstellt
Phasendifferenz in der Division
Gehen
Erstellt
Phasendifferenz zwischen zwei Sinuswellen
Gehen
Erstellt
Potenzial zwischen Umlenkblech
Gehen
Erstellt
Spitze-zu-Spitze-Spannung der Wellenform
Gehen
Erstellt
Verhältnis Modulationsfrequenz zu Ablenkplatte
Gehen
Erstellt
Vertikale Frequenz
Gehen
Erstellt
Vertikale Spitze-Spitze-Teilung
Gehen
Erstellt
Vom Oszilloskop vorgegebene Anstiegszeit
Gehen
Erstellt
Zeit pro Teilung des Oszilloskops
Gehen
Erstellt
Zeitkonstante des Oszilloskops
Gehen
Erstellt
Zeitspanne der Wellenform
Gehen
1 Weitere Oszilloskop Taschenrechner
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Parameter der Antennentheorie
(23)
Erstellt
Antenneneffizienz
Gehen
Erstellt
Antennengewinn
Gehen
Erstellt
Antennenstrom
Gehen
Erstellt
Durchschnittliche Strahlungsintensität
Gehen
Erstellt
Effektive Fläche der Antenne
Gehen
Erstellt
Entfernung zwischen Sende- und Empfangspunkt
Gehen
Erstellt
Gesamtantennenwiderstand
Gehen
Erstellt
Gesamteingangsleistung
Gehen
Erstellt
Gesamtleistung der Antenne
Gehen
Erstellt
Höhe der Empfangsantenne
Gehen
Erstellt
Höhe der Sendeantenne
Gehen
Erstellt
Isotrope Strahlungsintensität
Gehen
Erstellt
Kanalhöhe
Gehen
Erstellt
Länge des binomialen Arrays
Gehen
Erstellt
Leistung pro Einheit Bandbreite
Gehen
Erstellt
Leistungsdichte der Antenne
Gehen
Erstellt
Maximale Kanalwellenlänge
Gehen
Erstellt
Ohmscher Widerstand
Gehen
Erstellt
Rauschtemperatur der Antenne
Gehen
Erstellt
Richtwirkung der Antenne
Gehen
Erstellt
Stärke der Bodenwelle
Gehen
Erstellt
Strahlungsbeständigkeit
Gehen
Erstellt
Strahlungsintensität
Gehen
1 Weitere Parameter der Antennentheorie Taschenrechner
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Parameter für die Fasermodellierung
(7)
Erstellt
Anzahl der Modi mit normalisierter Frequenz
Gehen
Erstellt
Durchmesser der Faser
Gehen
Erstellt
Faserdämpfungskoeffizient
Gehen
Erstellt
Faserlänge
Gehen
Erstellt
Gaußscher Puls
Gehen
Erstellt
Leistungsverlust in Glasfaser
Gehen
Erstellt
Optische Dispersion
Gehen
12 Weitere Parameter für die Fasermodellierung Taschenrechner
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Parametrische Geräte
(13)
Erstellt
Ausgangsfrequenz im Aufwärtswandler
Gehen
Erstellt
Ausgangswiderstand des Signalgenerators
Gehen
Erstellt
Bandbreite des parametrischen Aufwärtswandlers
Gehen
Erstellt
Bandbreite des parametrischen Verstärkers mit negativem Widerstand (NRPA)
Gehen
Erstellt
Gewinn-Verschlechterungsfaktor
Gehen
Erstellt
Leerlauffrequenz unter Verwendung der Pumpfrequenz
Gehen
Erstellt
Leistungsgewinn des Abwärtswandlers
Gehen
Erstellt
Leistungsverstärkung des Demodulators
Gehen
Erstellt
Leistungsverstärkung des Modulators
Gehen
Erstellt
Leistungsverstärkung für parametrischen Aufwärtswandler
Gehen
Erstellt
Pumpfrequenz mit Demodulator Gain
Gehen
Erstellt
Rauschzahl des parametrischen Aufwärtswandlers
Gehen
Erstellt
Signalfrequenz
Gehen
Photonische Geräte
(1)
Erstellt
Wellenlänge der Strahlung in Vakuum
Gehen
12 Weitere Photonische Geräte Taschenrechner
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Q-Faktor
(8)
Erstellt
Entladener Q-Faktor
Gehen
Erstellt
Externer Q-Faktor
Gehen
Erstellt
Q-Faktor der externen Last
Gehen
Erstellt
Q-Faktor der Fangwand
Gehen
Erstellt
Q-Faktor der geladenen Resonatorschaltung
Gehen
Erstellt
Q-Faktor der Strahlbelastung
Gehen
Erstellt
Q-Faktor des geladenen Catcher-Hohlraums
Gehen
Erstellt
Qualitätsfaktor des Hohlraumresonators
Gehen
6 Weitere Q-Faktor Taschenrechner
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Radar- und Antennenspezifikationen
(24)
Erstellt
Antennenbereich
Gehen
Erstellt
Dopplerfrequenz
Gehen
Erstellt
Doppler-Winkelfrequenz
Gehen
Erstellt
Effektiver Bereich der Empfangsantenne
Gehen
Erstellt
Effizienz der Antennenapertur
Gehen
Erstellt
Entdeckungswahrscheinlichkeit
Gehen
Erstellt
Gemessene Laufzeit
Gehen
Erstellt
Kumulative Entdeckungswahrscheinlichkeit
Gehen
Erstellt
Maximale eindeutige Reichweite
Gehen
Erstellt
Maximale Reichweite des Radars
Gehen
Erstellt
Maximale von der Antenne abgestrahlte Leistungsdichte
Gehen
Erstellt
Maximaler Antennengewinn
Gehen
Erstellt
Minimales nachweisbares Signal
Gehen
Erstellt
N Scans
Gehen
Erstellt
Pulswiederholungsfrequenz
Gehen
Erstellt
Pulswiederholungszeit
Gehen
Erstellt
Radarantennenhöhe
Gehen
Erstellt
Radialgeschwindigkeit
Gehen
Erstellt
Reichweite des Ziels
Gehen
Erstellt
Übertragener Gewinn
Gehen
Erstellt
Übertragungsfrequenz
Gehen
Erstellt
Von einer verlustfreien Antenne abgestrahlte Leistungsdichte
Gehen
Erstellt
Zielgeschwindigkeit
Gehen
Erstellt
Zielhöhe
Gehen
Rahmenantennen
(1)
Erstellt
Isotrope Strahlungsintensität für Rahmenantenne
Gehen
7 Weitere Rahmenantennen Taschenrechner
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Reflektierte Wellen
(1)
Verifiziert
Charakteristische Impedanz unter Verwendung der reflektierten Spannung
Gehen
6 Weitere Reflektierte Wellen Taschenrechner
Gehen
Scheringbrücke
(7)
Erstellt
Abstand zwischen den Elektroden in der Schering-Brücke
Gehen
Erstellt
Effektive Elektrodenfläche in der Schering-Brücke
Gehen
Erstellt
Effektive Kapazität in der Schering-Brücke
Gehen
Erstellt
Kapazität aufgrund des Abstands zwischen Probe und Dielektrikum
Gehen
Erstellt
Kapazität der Probe
Gehen
Erstellt
Kapazität mit Probe als Dielektrikum
Gehen
Erstellt
Relative Permittivität
Gehen
3 Weitere Scheringbrücke Taschenrechner
Gehen
Spezialradare
(21)
Erstellt
Amplitude des Referenzsignals
Gehen
Erstellt
Amplitude des vom Ziel in Reichweite empfangenen Signals
Gehen
Erstellt
Bereichsauflösung
Gehen
Erstellt
CFA-Gleichstromeingang
Gehen
Erstellt
CFA-HF-Antriebsleistung
Gehen
Erstellt
CFA-HF-Ausgangsleistung
Gehen
Erstellt
Doppler-Frequenzverschiebung
Gehen
Erstellt
Echosignalspannung
Gehen
Erstellt
Effizienz des Kreuzfeldverstärkers (CFA)
Gehen
Erstellt
Entfernung von Antenne 1 zum Ziel im Monopulsradar
Gehen
Erstellt
Entfernung von Antenne 2 zum Ziel im Monopulsradar
Gehen
Erstellt
Geglättete Position
Gehen
Erstellt
Gemessene Position beim N-ten Scan
Gehen
Erstellt
Geschmeidige Geschwindigkeit
Gehen
Erstellt
Parameter für die Geschwindigkeitsglättung
Gehen
Erstellt
Phasendifferenz zwischen Echosignalen im Monopulsradar
Gehen
Erstellt
Positionsglättungsparameter
Gehen
Erstellt
Referenzspannung des CW-Oszillators
Gehen
Erstellt
Spitzenquantisierungskeule
Gehen
Erstellt
Vorhergesagte Position des Ziels
Gehen
Erstellt
Zeit zwischen Beobachtungen
Gehen
Spezifikationen des Voltmeters
(9)
Erstellt
Bereich des Voltmeters
Gehen
Erstellt
Kapazität des Voltmeters
Gehen
Erstellt
Selbstkapazität der Spule
Gehen
Erstellt
Spannung über der Kapazität während des Ladens
Gehen
Erstellt
Spannung über Kapazität
Gehen
Erstellt
Volt pro Division
Gehen
Erstellt
Voltmeterstrom
Gehen
Erstellt
Voltmeter-Widerstand
Gehen
Erstellt
Zusätzliche Kapazität
Gehen
8 Weitere Spezifikationen des Voltmeters Taschenrechner
Gehen
SSD-Verbindung
(14)
Erstellt
Akzeptorkonzentration
Gehen
Erstellt
Gesamtakzeptanzgebühr
Gehen
Erstellt
Kreuzungsübergangsbreite
Gehen
Erstellt
Länge der p-seitigen Verbindung
Gehen
Erstellt
Nettoverteilung der Ladung
Gehen
Erstellt
N-Typ-Breite
Gehen
Erstellt
PN Verbindungslänge
Gehen
Erstellt
Quantenzahl
Gehen
Erstellt
Querschnittsbereich der Kreuzung
Gehen
Erstellt
Serienwiderstand im N-Typ
Gehen
Erstellt
Serienwiderstand im P-Typ
Gehen
Erstellt
Spenderkonzentration
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Erstellt
Sperrschichtkapazität
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Erstellt
Sperrschichtspannung
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2 Weitere SSD-Verbindung Taschenrechner
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Strahlrohr
(9)
Erstellt
Hauttiefe
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Erstellt
Im Anodenstromkreis erzeugter Strom
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Erstellt
Plasmafrequenz
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Erstellt
Rechteckige Mikrowellenimpuls-Spitzenleistung
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Erstellt
Reduzierte Plasmafrequenz
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Erstellt
Repeller-Spannung
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Erstellt
Rückflussdämpfung
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Erstellt
Strom aus DC-Netzteil bezogen
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Erstellt
Trägerfrequenz in der Spektrallinie
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14 Weitere Strahlrohr Taschenrechner
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Strom und Spannung
(3)
Verifiziert
Laststrom unter Verwendung von Leitungsverlusten (Zweileiter, Mittelpunkt geerdet)
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Verifiziert
Maximale Spannung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert
Maximale Spannung unter Verwendung von Leitungsverlusten (Zweileiter, Mittelpunkt geerdet)
Gehen
3 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
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Strom und Spannung
(5)
Verifiziert
Maximale Leistung mit Konstante (DC 3-Draht)
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Verifiziert
Maximale Leistung mit Laststrom (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert
Maximale Spannung unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert
Maximale Spannung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert
Maximale Spannung unter Verwendung von Leitungsverlusten (DC 3-Draht)
Gehen
3 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
Gehen
Strom und Spannung
(1)
Verifiziert
Laststrom (einphasiges Zweidraht-Betriebssystem)
Gehen
6 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
Gehen
Strom und Spannung
(1)
Verifiziert
Maximale Spannung (einphasig, zweiadrig, Mittelpunkt geerdet)
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7 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
Gehen
Strom und Spannung
(1)
Verifiziert
Laststrom (einphasiges Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
10 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
Gehen
Strom und Spannung
(2)
Verifiziert
Effektivspannung (1-phasig 2-Draht US)
Gehen
Verifiziert
RMS-Spannung unter Verwendung des Laststroms (1-Phase 2-Draht US)
Gehen
15 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
Gehen
Strom und Spannung
(1)
Verifiziert
Maximale Spannung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC Dreileiter US)
Gehen
13 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
Gehen
Strom und Spannung
(3)
Verifiziert
Effektivspannung unter Verwendung des Laststroms (1 Phase 3 Leiter US)
Gehen
Verifiziert
Maximale Spannung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
Verifiziert
RMS-Spannung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
7 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
Gehen
Strom und Spannung
(1)
Verifiziert
RMS-Spannung unter Verwendung des Laststroms (3-Phasen-3-Draht-Betriebssystem)
Gehen
7 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
Gehen
Strom und Spannung
(2)
Verifiziert
Laststrom des Neutralleiters (Zweiphasen-Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert
Maximale Spannung unter Verwendung des Laststroms (zweiphasiges dreiadriges Betriebssystem)
Gehen
10 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
Gehen
Strom und Spannung
(2)
Verifiziert
RMS-Spannung unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (3-Phasen-4-Draht-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert
RMS-Spannung unter Verwendung des Laststroms (3-Phasen-4-Draht-Betriebssystem)
Gehen
5 Weitere Strom und Spannung Taschenrechner
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System-Design
(1)
Erstellt
Anzahl der Kanten in der Kontrollkomplexität
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3 Weitere System-Design Taschenrechner
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Telekommunikations-Verkehrssystem
(22)
Erstellt
Anrufaufbauzeit
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Erstellt
Ausfallzeit
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Erstellt
Betriebszeit
Gehen
Erstellt
Durchschnittliche Ankunftsrate für Poisson-Anrufe
Gehen
Erstellt
Durchschnittliche Anzahl der Anrufe
Gehen
Erstellt
Durchschnittliche Belegung
Gehen
Erstellt
Durchschnittliche Haltezeit
Gehen
Erstellt
Erforderliche Zeit für andere Funktionen als Schalten
Gehen
Erstellt
Gesamtzahl der angebotenen Anrufe
Gehen
Erstellt
Grad des Dienstes
Gehen
Erstellt
Kofferraumbelegung
Gehen
Erstellt
Kosten des Wechselsystems
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Erstellt
Kosten für gemeinsame Hardware
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Erstellt
Kosten pro Abonnent
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Erstellt
Kostenkapazitätsindex
Gehen
Erstellt
Nichtverfügbarkeit des Systems
Gehen
Erstellt
Nummer des verlorenen Anrufs
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Erstellt
Poisson Ankunft
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Erstellt
Quantisierungsfehler
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Erstellt
Schaltleistung
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Erstellt
Verfügbarkeit
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Erstellt
Verkehrsabwicklungsfähigkeit
Gehen
Temperatur messung
(3)
Erstellt
Bereich des thermischen Kontakts
Gehen
Erstellt
Hitzeübertragungskoeffizient
Gehen
Erstellt
Thermische Zeitkonstante
Gehen
Transistorbasierte Schaltungen
(3)
Erstellt
Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Gehen
Erstellt
Kollektorstrom
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Erstellt
Transistor-Basisstrom
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Übertragene oder gebrochene Wellen
(1)
Verifiziert
Einfallender Strom mit übertragenem Strom
Gehen
6 Weitere Übertragene oder gebrochene Wellen Taschenrechner
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Übertragener Strom 1,2 und 3
(3)
Verifiziert
Übertragener Strom-2 unter Verwendung der übertragenen Spannung (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert
Übertragener Strom-3 mit übertragener Spannung (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert
Übertragener Strom-3 unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-3 (Leitung PL)
Gehen
6 Weitere Übertragener Strom 1,2 und 3 Taschenrechner
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Übertragener Stromkoeffizient
(5)
Verifiziert
Übertragener Stromkoeffizient-2 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert
Übertragener Stromkoeffizient-2 unter Verwendung des übertragenen Spannungskoeffizienten (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert
Übertragener Stromkoeffizient-2 unter Verwendung von Impedanz-1 und 2 (Line PL)
Gehen
Verifiziert
Übertragener Stromkoeffizient-3 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert
Übertragener Stromkoeffizient-3 unter Verwendung des übertragenen Spannungskoeffizienten (Leitung PL)
Gehen
3 Weitere Übertragener Stromkoeffizient Taschenrechner
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Viskositätsmessung
(6)
Erstellt
Abstand zwischen Grenzen
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Erstellt
Dynamische Viskosität
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Erstellt
Geschwindigkeit sich bewegender Grenzen
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Erstellt
Grenzbereich wird verschoben
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Erstellt
Scherspannung bei Viskosität
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Erstellt
Widerstand gegen Bewegung in Flüssigkeit
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VLSI-Materialoptimierung
(16)
Erstellt
Body-Effect-Koeffizient
Gehen
Erstellt
DIBL-Koeffizient
Gehen
Erstellt
Eigene Gate-Kapazität
Gehen
Erstellt
Gate-Kapazität
Gehen
Erstellt
Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität
Gehen
Erstellt
Gate-Oxid-Kapazität
Gehen
Erstellt
Grenzspannung
Gehen
Erstellt
Kanalladung
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Erstellt
K-Prime
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Erstellt
Kritische Spannung
Gehen
Erstellt
Mobilität in Mosfet
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Erstellt
Oberflächenpotential
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Erstellt
Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle
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Erstellt
Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt
Gehen
Erstellt
Steilheit unter der Schwelle
Gehen
Erstellt
Verbindungsstrom
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23 Weitere VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner
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Vorübergehend
(4)
Verifiziert
Charakteristische Impedanz unter Verwendung von übertragenem Strom
Gehen
Verifiziert
Lastimpedanz mit reflektiertem Strom
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Verifiziert
Lastimpedanz mit übertragener Spannung
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Verifiziert
Reflektierte Spannung unter Verwendung der Lastimpedanz
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35 Weitere Vorübergehend Taschenrechner
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Wandler
(24)
Erstellt
Aktuelle Generatorkapazität
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Erstellt
Änderung der Einstrahlung
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Erstellt
Änderung des Widerstands
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Erstellt
Ansprechverhalten des Wandlers
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Erstellt
Ausgangssignal des Wandlers
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Erstellt
Bereich des Detektors
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Erstellt
Detektivität
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Erstellt
Detektivität des Wandlers
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Erstellt
Eingangssignal des Wandlers
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Erstellt
Empfindlichkeit des Detektors
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Erstellt
Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers
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Erstellt
Empfindlichkeit von LVDT
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Erstellt
Größe des Ausgangssignals
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Erstellt
Kapazität des Kabels
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Erstellt
Kapazität des Verstärkers
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Erstellt
Kapazität des Wandlers
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Erstellt
Normalisierte Detektivität
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Erstellt
Rauschäquivalent der Bandbreite
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Erstellt
RMS-Ausgangsspannungsdetektor
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Erstellt
RMS-Einfallsleistung des Detektors
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Erstellt
RMS-Rauschspannung der Zelle
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Erstellt
Temperaturanstieg
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Erstellt
Temperaturunterschied
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Erstellt
Wirkungsgrad des Wandlers
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Wattmeter-Schaltung
(7)
Erstellt
An die Wattmeter-Druckspule angelegte Spannung
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Erstellt
Gesamtkupferverlust im Sekundärwicklungskreis
Gehen
Erstellt
In S2 induzierte Spannung
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Erstellt
Strom im Druckspulenkreis
Gehen
Erstellt
Wattmeterablesung
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Erstellt
Widerstand der Spule S1
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Erstellt
Widerstand der Wattmeter-Druckspule
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8 Weitere Wattmeter-Schaltung Taschenrechner
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Wechselstromkreise
(3)
Erstellt
Anzeige des Quadraturpotentiometers
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Erstellt
Messwert des In-Phase-Potentiometers
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Erstellt
Potentiometerspannung
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4 Weitere Wechselstromkreise Taschenrechner
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Wellenausbreitung
(10)
Erstellt
Antennenstrahlbreite
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Erstellt
Ausbreitungsentfernung
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Erstellt
Brechungsindex der Ionosphäre
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Erstellt
Elektronendichte
Gehen
Erstellt
Höhe der Schicht
Gehen
Erstellt
Kritische Frequenz der Ionosphäre
Gehen
Erstellt
Maximal nutzbare Frequenz
Gehen
Erstellt
Normale der reflektierenden Ebene
Gehen
Erstellt
Parallele der reflektierenden Ebene
Gehen
Erstellt
Wellenlänge der Ebene
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6 Weitere Wellenausbreitung Taschenrechner
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Widerstand und spezifischer Widerstand
(2)
Verifiziert
Widerstand mit Konstante (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert
Widerstand unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (DC 3-Draht)
Gehen
4 Weitere Widerstand und spezifischer Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand und spezifischer Widerstand
(1)
Verifiziert
Widerstand (einphasiges Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
6 Weitere Widerstand und spezifischer Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand und spezifischer Widerstand
(1)
Verifiziert
Winkel des PF unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (3 Phase 3 Leiter US)
Gehen
4 Weitere Widerstand und spezifischer Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand und spezifischer Widerstand
(1)
Verifiziert
Widerstand unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
3 Weitere Widerstand und spezifischer Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand und spezifischer Widerstand
(1)
Verifiziert
Widerstand unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes OS)
Gehen
3 Weitere Widerstand und spezifischer Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand und spezifischer Widerstand
(2)
Verifiziert
Widerstand des Neutralleiters (Zweiphasen-Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert
Widerstand unter Verwendung von Widerstand (zweiphasiges dreiadriges Betriebssystem)
Gehen
5 Weitere Widerstand und spezifischer Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand, spezifischer Widerstand und Leistung
(2)
Verifiziert
Übertragene Leistung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC Dreileiter US)
Gehen
Verifiziert
Widerstand unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC Dreileiter US)
Gehen
5 Weitere Widerstand, spezifischer Widerstand und Leistung Taschenrechner
Gehen
Zeilenparameter
(1)
Verifiziert
Leitungsverluste unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (1-Phase 2-Draht US)
Gehen
6 Weitere Zeilenparameter Taschenrechner
Gehen
Zeilenparameter
(4)
Verifiziert
Ausbreitungskonstante mit A-Parameter (LTL)
Gehen
Verifiziert
Ausbreitungskonstante mit B-Parameter (LTL)
Gehen
Verifiziert
Länge mit B-Parameter (LTL)
Gehen
Verifiziert
Länge mit C-Parameter (LTL)
Gehen
5 Weitere Zeilenparameter Taschenrechner
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Zweileiter offen
(2)
Verifiziert
Potenzialunterschied zwischen B-Phase (zwei Leiter offen)
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Verifiziert
Potenzialunterschied zwischen C-Phase (zwei Leiter offen)
Gehen
4 Weitere Zweileiter offen Taschenrechner
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