Taschenrechner Erstellt von Santhosh Yadav

Bipolare IC-Herstellung (7)

Verifiziert Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

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Verifiziert Emitter-Injektionseffizienz

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Verifiziert Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

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Verifiziert Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

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Verifiziert Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

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Verifiziert Strom fließt in der Zenerdiode

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Verifiziert Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

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12 Weitere Bipolare IC-Herstellung Taschenrechner

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CMOS-Wechselrichter (3)

Verifiziert Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS

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Verifiziert Widerstandslast, minimale Ausgangsspannung CMOS

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Verifiziert Widerstandslast, minimale Eingangsspannung CMOS

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13 Weitere CMOS-Wechselrichter Taschenrechner

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CV-Aktionen der optischen Übertragung (12)

Verifiziert ASE-Rauschleistung

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Erstellt Ausgangsfotostrom

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Erstellt Dunkles Stromrauschen

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Verifiziert Gewinnkoeffizient

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Erstellt Lastwiderstand

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Verifiziert Maximaler parametrischer Gewinn

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Verifiziert Passband-Welligkeit

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Erstellt Rauschäquivalente Leistung

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Verifiziert Rauschzahl bei gegebener ASE-Rauschleistung

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Erstellt Reaktionsfähigkeit des Fotodetektors

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Erstellt Thermischer Rauschstrom

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Erstellt Totales Schussgeräusch

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5 Weitere CV-Aktionen der optischen Übertragung Taschenrechner

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Dynamik von Elektrowellen (1)

Verifiziert Absolute Permeabilität unter Verwendung der relativen Permeabilität und der Permeabilität des freien Raums

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20 Weitere Dynamik von Elektrowellen Taschenrechner

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Eigenschaften des Faserdesigns (3)

Erstellt Delta-Parameter

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Erstellt Normalisierte Ausbreitungskonstante

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Erstellt Phasengeschwindigkeit in Glasfasern

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9 Weitere Eigenschaften des Faserdesigns Taschenrechner

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Elektromagnetische Strahlung und Antennen (7)

Verifiziert Durchschnittliche Leistungsdichte des Halbwellendipols

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Verifiziert Maximale Leistungsdichte des Halbwellendipols

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Erstellt Poynting-Vektorgröße

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Verifiziert Richtwirkung des Halbwellendipols

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Verifiziert Strahlungsbeständigkeit des Halbwellendipols

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Verifiziert Vom Halbwellendipol abgestrahlte Leistung

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Verifiziert Zeitlich durchschnittliche Strahlungsleistung des Halbwellendipols

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6 Weitere Elektromagnetische Strahlung und Antennen Taschenrechner

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Emitterstrom (1)

Verifiziert Emitterstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung

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8 Weitere Emitterstrom Taschenrechner

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Empfang von Radarantennen (14)

Erstellt Abstand zwischen den Zentren der Metallkugel

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Erstellt Antennengewinn des Empfängers

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Erstellt Brechungsindex der Lüneburger Linse

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Erstellt Brechungsindex der Metallplattenlinse

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Erstellt Dielektrizitätskonstante des künstlichen Dielektrikums

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Erstellt Direktiver Gewinn

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Erstellt Effektive Apertur einer verlustfreien Antenne

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Erstellt Effektive Geräuschtemperatur

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Erstellt Gesamtrauschzahl kaskadierter Netzwerke

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Erstellt Häufigkeitswiederverwendungsverhältnis

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Erstellt Likelihood-Ratio-Empfänger

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Erstellt Maximaler Antennengewinn bei gegebenem Antennendurchmesser

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Erstellt Omnidirektionales SIR

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Erstellt Signal-zu-Gleichkanal-Interferenzverhältnis

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Geräte mit optischen Komponenten (9)

Verifiziert Beugung mit der Fresnel-Kirchoff-Formel

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Verifiziert Brewsters Winkel

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Verifiziert Diffusionskoeffizient des Elektrons

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Verifiziert Drehwinkel der Polarisationsebene

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Verifiziert Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

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Verifiziert Maximaler Akzeptanzwinkel der zusammengesetzten Linse

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Verifiziert PN-Übergangskapazität

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Verifiziert Spitzenverzögerung

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Verifiziert Streifenabstand bei gegebenem Scheitelwinkel

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5 Weitere Geräte mit optischen Komponenten Taschenrechner

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Kollektorstrom (1)

Verifiziert Kollektorstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung

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9 Weitere Kollektorstrom Taschenrechner

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Laser (6)

Verifiziert Absorptionskoeffizient

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Verifiziert Bestrahlungsstärke

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Verifiziert Halbwellenspannung

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Verifiziert Transmission

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Verifiziert Variabler Brechungsindex der GRIN-Linse

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Verifiziert Verhältnis der Rate der spontanen und stimulierten Emission

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6 Weitere Laser Taschenrechner

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Mikrostreifenantenne (6)

Verifiziert Höhe des gleichseitigen Dreiecksflecks

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Verifiziert Normalisierte Wellenzahl

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Verifiziert Physikalischer Radius des kreisförmigen Mikrostreifen-Patches

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Verifiziert Resonanzfrequenz des gleichseitigen Dreiecksflecks

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Verifiziert Seitenlänge des gleichseitigen dreieckigen Pflasters

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Verifiziert Seitenlänge des sechseckigen Pflasters

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10 Weitere Mikrostreifenantenne Taschenrechner

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Mikrowellengeräte (2)

Verifiziert Grenzfrequenz des kreisförmigen Wellenleiters im transversalen magnetischen 01-Modus

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Verifiziert Grenzfrequenz eines kreisförmigen Wellenleiters im transversalen elektrischen 11-Modus

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15 Weitere Mikrowellengeräte Taschenrechner

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MOSFET-Eigenschaften (1)

Verifiziert MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität

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15 Weitere MOSFET-Eigenschaften Taschenrechner

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MOS-IC-Herstellung (15)

Verifiziert Äquivalente Oxiddicke

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Verifiziert Ausbreitungszeit

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Verifiziert Die pro Wafer

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Verifiziert Donator-Dotierstoffkonzentration

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Verifiziert Dotierstoffkonzentration des Akzeptors

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Verifiziert Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

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Verifiziert Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen

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Verifiziert Driftstromdichte aufgrund von Löchern

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Verifiziert Kanalwiderstand

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Verifiziert Körpereffekt im MOSFET

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Verifiziert Kritische Dimension

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Verifiziert Maximale Dotierstoffkonzentration

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Verifiziert MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

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Verifiziert Schaltpunktspannung

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Verifiziert Tiefenschärfe

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Optische Detektoren (12)

Erstellt 3 dB Bandbreite von Metallfotodetektoren

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Erstellt Bandbreitenstrafe

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Erstellt Detektivität des Fotodetektors

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Erstellt Durchschnittliche Anzahl detektierter Photonen

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Erstellt Durchschnittliche empfangene optische Leistung

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Verifiziert Gesamter quadratischer Mittelwert des Rauschstroms

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Erstellt Grenzpunkt bei langer Wellenlänge

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Erstellt Maximale 3 dB Bandbreite des Metallfotodetektors

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Erstellt Maximale Fotodiode 3 dB Bandbreite

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Verifiziert Temperatureffekt auf Dunkelstrom

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Erstellt Transitzeit in Bezug auf die Diffusion von Minderheitsträgern

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Erstellt Überschüssiger Lawinenlärmfaktor

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13 Weitere Optische Detektoren Taschenrechner

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Parameter für die Fasermodellierung (6)

Erstellt Beat-Länge

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Erstellt Brillouin-Verschiebung

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Erstellt Effektive Interaktionsdauer

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Erstellt Grad der modalen Doppelbrechung

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Erstellt Gruppengeschwindigkeit

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Erstellt Rayleigh-Streuung

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13 Weitere Parameter für die Fasermodellierung Taschenrechner

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Photonische Geräte (6)

Verifiziert Abgestrahlte optische Leistung

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Verifiziert Energiedichte bei gegebenen Einstein-Koeffizienten

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Verifiziert Gesamtstromdichte

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Verifiziert Kontaktpotenzialunterschied

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Verifiziert Nettophasenverschiebung

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Verifiziert Sättigungsstromdichte

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7 Weitere Photonische Geräte Taschenrechner

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Transmissionsmessungen (20)

Erstellt 3 dB Impulsverbreiterung

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Erstellt Absorptionsverlust

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Erstellt Anstiegszeit am Empfänger-Frontend

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Erstellt Biegedämpfung

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Verifiziert Bitfehlerrate bei gegebenem SNR

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Erstellt Brechungsindexunterschied

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Erstellt Faseranstiegszeit

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Verifiziert Finesse von Etalon

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Verifiziert Freier Spektralbereich von Etalon

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Verifiziert Ideales Etalon-Getriebe

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Erstellt Kraftstrafe

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Erstellt Modale Anstiegszeit

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Erstellt Nummer der geführten Modi

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Erstellt Optische Dämpfung

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Erstellt Optische Rückflussdämpfung

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Verifiziert Optischer Modulationsindex

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Erstellt Pulsausbreitungszeit

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Erstellt Relative Dämpfung

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Erstellt Streuverlust

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Erstellt Zeitkonstante des Kalorimeters

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VLSI-Materialoptimierung (23)

Verifiziert Akzeptorkonzentration nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Verifiziert Anschluss integrierte Spannung VLSI

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Verifiziert Drainstrom nach Spannungsskalierung VLSI

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Verifiziert Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Verifiziert Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Verifiziert Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Verifiziert Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI

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Verifiziert Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI

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Verifiziert Kurzkanal-Schwellenspannung VLSI

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Verifiziert Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI

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Verifiziert Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).

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Verifiziert Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI

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Verifiziert Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI

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Verifiziert Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Verifiziert PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI

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Verifiziert PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI

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Verifiziert Schmalkanal-Schwellenspannung VLSI

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Verifiziert Schwellenspannung nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Verifiziert Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI

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Verifiziert Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Verifiziert Verlustleistung nach Spannungsskalierung VLSI

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Verifiziert Versorgungsspannung nach vollständiger Skalierung von VLSI

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Verifiziert Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI

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16 Weitere VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner

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