Taschenrechner Erstellt von Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad
39
Formeln Erstellt
19
Formeln Verifiziert
5
Über Kategorien hinweg

Liste der Taschenrechner von Priyanka Patel

Im Folgenden finden Sie eine kombinierte Liste aller Taschenrechner, die von Priyanka Patel erstellt und überprüft wurden. Priyanka Patel hat 39 erstellt und 19 -Rechner in 5 verschiedenen Kategorien bis heute überprüft.
Erstellt Ausbreitungsverzögerung für CMOS mit Übergang von hoher zu niedriger Ausgangsleistung
Erstellt Ausbreitungsverzögerung für Übergangs-CMOS von niedriger zu hoher Ausgangsleistung
Erstellt Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS
Erstellt Durchschnittliche Verlustleistung CMOS
Erstellt Lastkapazität des kaskadierten Inverter-CMOS
Erstellt Maximale Eingangsspannung CMOS
Erstellt Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS
Erstellt Minimale Eingangsspannung CMOS
Erstellt Minimale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS
Erstellt Rauschmarge für Hochsignal-CMOS
Erstellt Schwellenspannung CMOS
Erstellt Schwingungsperiode Ringoszillator CMOS
Erstellt Transkonduktanzverhältnis CMOS
Erstellt Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS
Erstellt Widerstandslast, minimale Ausgangsspannung CMOS
Erstellt Widerstandslast, minimale Eingangsspannung CMOS
Verifiziert Interne Induktivität eines langen geraden Drahtes
Verifiziert Magnetische Flussdichte anhand der magnetischen Feldstärke und Magnetisierung
Verifiziert Magnetische Flussdichte im freien Raum
Verifiziert Magnetische Kraft durch Lorentz-Kraftgleichung
Verifiziert Magnetische Suszeptibilität mithilfe der relativen Permeabilität
Verifiziert Magnetisierung mittels magnetischer Feldstärke und magnetischer Flussdichte
Verifiziert Magnetomotorische Kraft bei Reluktanz und magnetischem Fluss
Verifiziert Widerstand des zylindrischen Leiters
13 Weitere Dynamik von Elektrowellen Taschenrechner
Verifiziert Polarisation
12 Weitere Elektromagnetische Strahlung und Antennen Taschenrechner
Verifiziert Anzahl der Mischprodukte beim Vierwellenmischen
Verifiziert Brechungsindex des Materials bei gegebener optischer Leistung
Verifiziert Faserlänge bei gegebener Zeitdifferenz
Verifiziert Gesamtsystemanstiegszeit
Verifiziert Leistungseinbußen aufgrund chromatischer Dispersion
Verifiziert Maximale Nennkanalleistung
Verifiziert Reflektierte Kraft
Verifiziert Totale Streuung
Verifiziert Träger-Rausch-Verhältnis
Verifiziert Viertes Intermodulationsprodukt beim Vierwellenmischen
Erstellt Akzeptorkonzentration nach vollständiger Skalierung von VLSI
Erstellt Anschluss integrierte Spannung VLSI
Erstellt Drainstrom nach Spannungsskalierung VLSI
Erstellt Drainstrom nach vollständiger Skalierung von VLSI
Erstellt Gate-Oxiddicke nach vollständiger Skalierung von VLSI
Erstellt Kanalbreite nach vollständiger Skalierung von VLSI
Erstellt Kanallänge nach vollständiger Skalierung VLSI
Erstellt Kurzkanal-Sättigungsstrom VLSI
Erstellt Kurzkanal-Schwellenspannung VLSI
Erstellt Kurzkanal-Schwellenspannungsreduzierung VLSI
Erstellt Ladungsdichte der Bulk-Depletion-Region (VLSI).
Erstellt Leistungsdichte nach Spannungsskalierung VLSI
Erstellt Oxidkapazität nach Spannungsskalierung VLSI
Erstellt Oxidkapazität nach vollständiger Skalierung von VLSI
Erstellt PN-Junction-Verarmungstiefe mit Quell-VLSI
Erstellt PN-Verbindungsverarmungstiefe mit Drain-VLSI
Erstellt Schmalkanal-Schwellenspannung VLSI
Erstellt Schwellenspannung nach vollständiger Skalierung von VLSI
Erstellt Spenderkonzentration nach vollständiger Skalierung des VLSI
Erstellt Verbindungstiefe nach vollständiger Skalierung von VLSI
Erstellt Verlustleistung nach Spannungsskalierung VLSI
Erstellt Versorgungsspannung nach vollständiger Skalierung von VLSI
Erstellt Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI
16 Weitere VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner
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