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N-Kanal-Verbesserung Taschenrechner
Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom
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Drain-Strom gegeben NMOS arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquelle
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Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet
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Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor
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Gelieferte Gesamtleistung in NMOS
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Gesamte Verlustleistung in NMOS
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Herstellungsprozessparameter von NMOS
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Körpereffekt in NMOS
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NMOS als linearer Widerstand
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Oxidkapazität von NMOS
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Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS
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Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt
Gehen
Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt
Gehen
Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS
Gehen
Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung
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Stromeintritt in Drain-Source im Sättigungsbereich von NMOS
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Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS
Gehen
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Körpereffekt in NMOS
Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt
Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS
Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung
Stromeintritt in Drain-Source im Sättigungsbereich von NMOS
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Drain-Strom gegeben NMOS arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquelle
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