Taschenrechner Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
68
Formeln Erstellt
34
Formeln Verifiziert
28
Über Kategorien hinweg

Liste der Taschenrechner von Banuprakash

Im Folgenden finden Sie eine kombinierte Liste aller Taschenrechner, die von Banuprakash erstellt und überprüft wurden. Banuprakash hat 68 erstellt und 34 -Rechner in 28 verschiedenen Kategorien bis heute überprüft.
Verifiziert Durchschnittlicher Thyristorstrom unter AC-Regler
Verifiziert RMS-Ausgangsspannung unter AC-Regler
Verifiziert RMS-Thyristorstrom unter AC-Regler
Erstellt Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite
Erstellt Emitter-Injektionseffizienz
Erstellt Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten
Erstellt Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität
Erstellt Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs
Erstellt Strom fließt in der Zenerdiode
Erstellt Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung
12 Weitere Bipolare IC-Herstellung Taschenrechner
Erstellt Lawinenmultiplikationsfaktor
14 Weitere BJT-Mikrowellengeräte Taschenrechner
Verifiziert Durchschnittlicher Transistorstromwert
Verifiziert Leitungseffektivspannung für SPWM-Wechselrichter
Verifiziert RMS-Transistorstromnennwert
3 Weitere Dreiphasen-Wechselrichter Taschenrechner
Verifiziert RMS-Ausgangsspannung für Phasenregler
4 Weitere Dreiphasiger Vollumrichter Taschenrechner
Verifiziert Durchschnittliche Ausgangsspannung für die PWM-Steuerung
Verifiziert Grundversorgungsstrom für die PWM-Steuerung
Verifiziert RMS-Oberschwingungsstrom für die PWM-Steuerung
Verifiziert RMS-Versorgungsstrom für die PWM-Steuerung
15 Weitere Eigenschaften des Leistungswandlers Taschenrechner
Verifiziert Zirkulierender Strom durch den Reaktor unter Doppelkonverter
3 Weitere Einphasen-Doppelwandler Taschenrechner
Verifiziert Durchschnittliche Lastspannung für die Kalkulationsfunktion
4 Weitere Einphasen-Thyristor-Konverter Taschenrechner
Verifiziert RMS-Ausgangsspannung für RL-Last
Verifiziert RMS-Ausgangsspannung für SPWM-Wechselrichter
3 Weitere Einphasen-Wechselrichter Taschenrechner
Verifiziert Äquivalenter Strom für schwankende und intermittierende Lasten
Verifiziert Benötigte Zeit für die Fahrgeschwindigkeit
Verifiziert Während des Übergangsbetriebs verlorene Energie
10 Weitere Elektrische Traktionsantriebe Taschenrechner
Erstellt Emitterstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung
8 Weitere Emitterstrom Taschenrechner
Verifiziert Fehlervektorgröße unter Verwendung der durchschnittlichen Leistung
Verifiziert Fehlervektorgröße unter Verwendung der RMS-Spannung
Verifiziert Gesamtempfangssignal bei Mobilkommunikation
9 Weitere Frequenzmodulation Taschenrechner
Erstellt Drehwinkel der Polarisationsebene
Erstellt Spitzenverzögerung
12 Weitere Geräte mit optischen Komponenten Taschenrechner
Erstellt Kumulative Häufigkeit für jeden Helligkeitswert
Erstellt Lauflängenentropie des Bildes
Erstellt Mit Hauptkomponenten verbundene Bandlasten
Erstellt Quantisierungsschrittgröße in der Bildverarbeitung
13 Weitere Grundlagen der Bildverarbeitung Taschenrechner
Verifiziert Summierverstärker
3 Weitere Grundlegende Eigenschaften Taschenrechner
Verifiziert Eingangsstrom bei Verstärkungsbetrachtung
12 Weitere Helixrohr Taschenrechner
Erstellt Durchschnittliche Intensität der Pixel im Bild
12 Weitere Intensitätstransformation Taschenrechner
Erstellt Kollektorstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung
9 Weitere Kollektorstrom Taschenrechner
Laser (7)
Erstellt Absorptionskoeffizient
Erstellt Bestrahlungsstärke
Erstellt Halbwellenspannung
Erstellt Kleinsignal-Verstärkungskoeffizient
Erstellt Round-Trip-Gewinn
Erstellt Transmission
Erstellt Verhältnis der Rate der spontanen und stimulierten Emission
5 Weitere Laser Taschenrechner
Erstellt MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Oxidkapazität
15 Weitere MOSFET-Eigenschaften Taschenrechner
Erstellt Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung
Erstellt Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung
Erstellt Äquivalente Oxiddicke
Erstellt Ausbreitungszeit
Erstellt Die pro Wafer
Erstellt Donator-Dotierstoffkonzentration
Erstellt Dotierstoffkonzentration des Akzeptors
Erstellt Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich
Erstellt Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen
Erstellt Driftstromdichte aufgrund von Löchern
Erstellt Kanalwiderstand
Erstellt Körpereffekt im MOSFET
Erstellt Kritische Dimension
Erstellt Maximale Dotierstoffkonzentration
Erstellt MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz
Erstellt Schaltpunktspannung
Erstellt Tiefenschärfe
Erstellt Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
Erstellt Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Erstellt Arbeitsfunktion im MOSFET
Erstellt Eingebautes Potenzial in der Erschöpfungsregion
Erstellt Fermipotential für N-Typ
Erstellt Fermipotential für P-Typ
Erstellt Knotenspannung bei gegebener Instanz
Erstellt Ladungsdichte im Verarmungsbereich
Erstellt Maximale Erschöpfungstiefe
Erstellt Mit der Quelle verbundene Tiefe der Erschöpfungsregion
Erstellt Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
Erstellt Substrat-Vorspannungskoeffizient
Erstellt Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion
8 Weitere MOS-Transistor Taschenrechner
Verifiziert Aus der einfallenden optischen Leistung wird ein Fotostrom erzeugt
Verifiziert Externe Quanteneffizienz
Verifiziert Gesamtverstärkerverstärkung für EDFA
Verifiziert Nichtlineare Phasenverschiebung
Verifiziert Phasenverschiebung des J-ten Kanals
14 Weitere Parameter für die Fasermodellierung Taschenrechner
Erstellt Energiedichte bei gegebenen Einstein-Koeffizienten
Erstellt Nettophasenverschiebung
11 Weitere Photonische Geräte Taschenrechner
Verifiziert Eingangsleistung für Step-Down-Chopper
9 Weitere Step-Up- oder Step-Down-Chopper Taschenrechner
Verifiziert Charakteristische Impedanz der Koaxialleitung
Erstellt Gesamte im Resonator gespeicherte Energie
Verifiziert Leistungsverstärkung eines Klystron-Verstärkers mit zwei Hohlräumen
Verifiziert Mikrowellenspannung im Buncher-Spalt
Verifiziert Phasengeschwindigkeit in axialer Richtung
Verifiziert Totale Erschöpfung für WDM-System
17 Weitere Strahlrohr Taschenrechner
Erstellt Leistungsgewinn des Abwärtswandlers bei gegebenem Degradationsfaktor
Erstellt Maximal zulässige Leistung
Erstellt Maximale Betriebsfrequenz
Erstellt Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors
Erstellt Maximale Schwingungsfrequenz
Erstellt MESFET-Grenzfrequenz
Erstellt Rauschfaktor GaAs MESFET
Erstellt Transitwinkel
Erstellt Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET
Erstellt Verstärkungsdegradationsfaktor für MESFET
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!