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Inhalt des Fortschrittliche Transistorgeräte-PDFs

Liste von 20 Fortschrittliche Transistorgeräte Formeln

Abschnürspannung des FET
Drain-Source-Spannung des FET
Drainstrom des FET
Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung
Durchschnittlicher Laststrom des TRIAC
Eingangskapazität des IGBT
Emitterstrom des IGBT
Gate-Drain-Kapazität des FET
Gate-Source-Kapazität des FET
IGBT-Ausschaltzeit
Maximale Sperrschichttemperatur des TRIAC
Maximale Verlustleistung im IGBT
Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT
Ohmscher Bereich Drainstrom des FET
RMS-Laststrom des TRIAC
Sättigungsspannung des IGBT
Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand
Spannungsverstärkung des FET
Transkonduktanz von FET
Verlustleistung von TRIAC

In Fortschrittliche Transistorgeräte PDF verwendete Variablen

  1. Av(fet) Spannungsverstärkungs-FET (Volt)
  2. BVsoa(igbt) Durchbruchspannung SOA IGBT (Volt)
  3. C(g-c)(igbt) Gate-Kollektor-Kapazität (IGBT) (Farad)
  4. C(g-e)(igbt) Gate-Emitter-Kapazität (IGBT) (Farad)
  5. Cgd(fet) Gate-Drain-Kapazität FET (Farad)
  6. Cgs(fet) Gate-Source-Kapazität FET (Farad)
  7. Cin(igbt) Eingangskapazität (IGBT) (Farad)
  8. Gm(fet) Vorwärts-Transkonduktanz-FET (Millisiemens)
  9. Go(fet) Kanalleitfähigkeits-FET (Millisiemens)
  10. Iavg(triac) Durchschnittlicher Laststrom TRIAC (Milliampere)
  11. Id(fet) Drain-Strom-FET (Milliampere)
  12. Id(igbt) Drain-Strom (IGBT) (Milliampere)
  13. Idss(fet) Null-Vorspannungs-Drainstrom (Milliampere)
  14. ie(igbt) Elektronischer Strom (IGBT) (Milliampere)
  15. Ie(igbt) Emitterstrom (IGBT) (Milliampere)
  16. if(igbt) Durchlassstrom (IGBT) (Milliampere)
  17. Ih(igbt) Löcherstrom (IGBT) (Milliampere)
  18. Ipeak(triac) Spitzenstrom TRIAC (Milliampere)
  19. Irms(triac) Effektivstrom TRIAC (Milliampere)
  20. Np(igbt) Positive Nettoladung (IGBT) (Coulomb)
  21. P(triac) Verlustleistung TRIAC (Watt)
  22. Pmax(igbt) Maximale Verlustleistung (IGBT) (Watt)
  23. Pmax(triac) Maximale Verlustleistung TRIAC (Milliwatt)
  24. Rce(igbt) Widerstand von Kollektor und Emitter (IGBT) (Kiloohm)
  25. Rch(igbt) N-Kanal-Widerstand (IGBT) (Kiloohm)
  26. Rd(fet) Drain-Widerstand FET (Kiloohm)
  27. Rd(igbt) Driftfestigkeit (IGBT) (Kiloohm)
  28. Rs(fet) Quellwiderstand FET (Kiloohm)
  29. Rs(igbt) Leitfähigkeit Widerstand IGBT (Kiloohm)
  30. Rs(triac) Leitfähigkeit Widerstand TRIAC (Kiloohm)
  31. Rth(j-a)(triac) Verbindung zum Umgebungswärmewiderstand TRIAC (Kiloohm)
  32. Rth(jc)(igbt) Thermischer Widerstand (IGBT) (Kiloohm)
  33. Ta(triac) Umgebungstemperatur TRIAC (Celsius)
  34. Tc(igbt) Gehäusetemperatur IGBT (Celsius)
  35. Tdl(igbt) Verzögerungszeit (IGBT) (Zweite)
  36. tf1(igbt) Anfängliche Abfallzeit (IGBT) (Zweite)
  37. tf2(igbt) Endgültige Abfallzeit (IGBT) (Zweite)
  38. Tgd-off(fet) Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET (Zweite)
  39. Tgs-off(fet) Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET (Zweite)
  40. Tjmax(igbt) Maximale Betriebsspannung (IGBT) (Celsius)
  41. Tjmax(triac) Maximaler Betriebsübergang TRIAC (Celsius)
  42. Toff(igbt) Ausschaltzeit (IGBT) (Zweite)
  43. VB-E(pnp)(igbt) Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT (Volt)
  44. Vce(igbt) Gesamtspannung von Kollektor und Emitter (IGBT) (Volt)
  45. Vc-e(sat)(igbt) Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) (Volt)
  46. Vcut-off(fet) Abschaltspannung FET (Volt)
  47. Vdd(fet) Versorgungsspannung am Drain-FET (Volt)
  48. Vds(fet) Drain-Source-Spannung FET (Volt)
  49. Vds-off(fet) Pinch-OFF-Drain-Source-Spannung FET (Volt)
  50. Vgd(fet) Gate-Drain-Spannung FET (Volt)
  51. Vj1(igbt) Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT) (Volt)
  52. Vknee(triac) Kniespannungs-TRIAC (Volt)
  53. Voff(fet) Pinch-OFF-Spannung (Volt)
  54. VON(igbt) Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT) (Volt)
  55. θj-c(igbt) Anschlusswinkel zum Gehäuse (IGBT) (Grad)
  56. Ψ0(fet) Oberflächenpotential-FET (Volt)

Konstanten, Funktionen und Messungen, die in Fortschrittliche Transistorgeräte PDF verwendet werden

  1. Konstante: pi, 3.14159265358979323846264338327950288
    Archimedes-Konstante
  2. Funktion: sqrt, sqrt(Number)
    Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.
  3. Messung: Zeit in Zweite (s)
    Zeit Einheitenumrechnung
  4. Messung: Elektrischer Strom in Milliampere (mA)
    Elektrischer Strom Einheitenumrechnung
  5. Messung: Temperatur in Celsius (°C)
    Temperatur Einheitenumrechnung
  6. Messung: Elektrische Ladung in Coulomb (C)
    Elektrische Ladung Einheitenumrechnung
  7. Messung: Leistung in Watt (W), Milliwatt (mW)
    Leistung Einheitenumrechnung
  8. Messung: Winkel in Grad (°)
    Winkel Einheitenumrechnung
  9. Messung: Kapazität in Farad (F)
    Kapazität Einheitenumrechnung
  10. Messung: Elektrischer Widerstand in Kiloohm (kΩ)
    Elektrischer Widerstand Einheitenumrechnung
  11. Messung: Elektrische Leitfähigkeit in Millisiemens (mS)
    Elektrische Leitfähigkeit Einheitenumrechnung
  12. Messung: Elektrisches Potenzial in Volt (V)
    Elektrisches Potenzial Einheitenumrechnung

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Holen Sie sich noch heute ein kostenloses Fortschrittliche Transistorgeräte-PDF zum Download. Nach jeder Formel finden Sie Beispiele mit einem Link zu einem Live-Rechner! Alle Formeln und Rechner unterstützen auch die Umrechnung von Einheiten. Dieses PDF enthält 20 Rechner aus dem Bereich Elektrisch. Im Inneren finden Sie eine Liste von Formeln wie Abschnürspannung des FET, Drainstrom des FET und 20 weitere Formeln!. Die Variablen, Funktionen und Konstanten sind am Ende zusammengefasst. Erkunden und teilen Sie Fortschrittliche Transistorgeräte-PDFs!

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